LPDDR4X: серийное производство чипа от Samsung

LPDDR4X

Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем DRAM емкостью 12 ГБ, типа LPDDR4X. Этот тип памяти с высокой емкостью и производительностью может использоваться для функций, предлагаемых современными высококачественными смартфонами. Конкретные версии Galaxy S10 + имеют 12 ГБ ОЗУ, но использовались разные чипы, которые уже есть на рынке.

Корейский производитель отмечает, что микросхема DRAM является первым 12 ГБ типом LPDDR4X (Low-Power Double Data Rate 4X) со скоростью 4266 Мбит / с. Емкость 12 ГБ была получена путем объединения шести чипов, изготовленных по технологии 1y-nm (класс 10 нм), в одну упаковку. Это позволило уменьшить пространство, занимаемое внутри смартфона. Толщина составляет всего 1,1 миллиметра. Чип обеспечивает скорость передачи данных 34,1 ГБ / с и более низкое энергопотребление, чем память LPDDR4, построенная на 20 нанометрах.

В пресс-релизе Samsung говорится, что микросхема DRAM емкостью 12 ГБ предназначена для смартфонов с большим количеством камер и возможностью подключения 5G. Пользователи могут воспользоваться 12 ГБ для многозадачности, игр и просмотра контента на экранах с очень высоким разрешением. Такая возможность позволяет легко выполнять сложные операции, такие как запись видео 4K HDR со стабилизацией изображения.

Как уже упоминалось, для Galaxy S10 + этот тип ОЗУ не использовался, поэтому вполне вероятно, что 12 ГБ памяти LPDDR4X найдут свое место в Galaxy S10 5G, возможно, вместе с 256 или 512 ГБ памяти и UFS 3.0. Samsung планирует увеличить производство чипов на 12 и 8 ГБ, так как ожидается, что во второй половине 2019 года будет большой спрос.

Заключение

Надеемся что прочтенная Вами статья была вам интересна. Кроме интересных новостей, наша компания «it-delo» оказывает услуги по ремонту принтеров и мфу.

Комментарии

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *